0 Ваша Корзина

ER1M-TP

ER1M-TP MCC - фото

Наведите на картинку для увеличения

1.96 Р
1.71 Р50+
1.47 Р100+
1000 шт.
Оптовые цены:
Кол-во 50+ 100+
Цена 1.71 Р 1.47 Р
+
10168193
Бренд:MCC
Корпус:SMA
Норма упаковки:1

ER1M-TP – Описание

ER1M‑TP — супербыстродействующий выпрямительный диод в SMD‑исполнении. Отличается высоким максимальным обратным напряжением (1000 В), средним выпрямленным током 1,0 А и малым временем обратного восстановления (75 нс). Предназначен для применения в силовых высокочастотных цепях, где важны надёжность и устойчивость к высоким напряжениям.

Область применения:

·       Импульсные источники питания (AC/DC и DC/DC‑преобразователи);

·       Высоковольтные выпрямительные схемы;

·       Корректоры коэффициента мощности (PFC);

·       Промышленные преобразователи энергии;

·       Блоки питания телекоммуникационного и серверного оборудования;

·       Схемы с высокими импульсными перенапряжениями;

·       Устройства, требующие сочетания высокой скорости переключения и высокого обратного напряжения.

Особенности:

·       Корпус DO‑214AA (SMB) для поверхностного монтажа;

·       Быстрое восстановление (trr=75 нс);

·       Высокое обратное напряжение (1000 В);

·       Умеренное прямое падение напряжения (1,1 В при 1 А);

·       Высокая стойкость к импульсным перегрузкам (IFSM=30 А);

·       Низкий ток утечки (5 мкА при максимальном обратном напряжении);

·       Соответствие стандартам Lead‑Free и RoHS (без свинца);

·       Широкий диапазон рабочих температур (от −55 °C до +150 °C);

·       Компактная конструкция, подходящая для плотной компоновки плат.

ER1M-TP – Прикрепленные файлы

DataSheet (561295.pdf, 198 Kb) [Скачать]

ER1M-TP – Характеристики

  • Тип диода: супербыстродействующий выпрямительный;
  • Максимальное постоянное обратное напряжение (VRRM): 1000 В;
  • Максимальное импульсное обратное напряжение: 1000 В;
  • Средний выпрямленный ток (IF(AV)): 1,0 А;
  • Максимальный импульсный прямой ток (IFSM, 8,3 мс): 30 А;
  • Прямое падение напряжения (VF, при IF=1,0 А, TJ=25 °C): 1,1 В;
  • Обратный ток (IR, при VR=1000 В, TJ=25 °C): 5 мкА;
  • Время обратного восстановления (trr, при IF>200 мА): 75 нс;
  • Ёмкость перехода (CD, при VR=0 В, f=1 МГц): 15 пФ;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 1,5 Вт;
  • Тепловое сопротивление переход‑среда (RθJA): ориентировочно 83,3 °C/Вт (типичное для SMB);
  • Диапазон рабочих температур (TJTSTG): от −55 °C до +150 °C;
  • Корпус: DO‑214AA (SMB), SMD;