1SMB5934BT3G

Стабилитроны серии 1SMB59xxBT3G представляют собой полупроводниковые диоды, работающие при обратном смещении в режиме пробоя. Их номинальные напряжения стабилизации соответствуют стандартному ряду от 3,3 В до 200 В включительно при допустимом отклонении ±5 %. Мощность рассеивания может достигать 3 Вт, при температуре p-n перехода 75 °C.

Миниатюрный корпус SMB, в который упаковываются при производстве стабилитроны серии 1SMB59xxBT3G, имеет плоские, хорошо обработанные поверхности для удобного захвата и точного размещения перед пайкой. Высота корпуса не превышает 2,3 мм, что позволяет размещать его как с верхней, так и с нижней стороны печатной платы.

• Напряжение стабилизации: 24 В.
• Ток стабилизации номинальный: 15,6 мА.
• Ток стабилизации максимальный: 62 мА.
• Ток утечки: 1 мкА (при 18,2 В).
• Допуск напряжения стабилизации: ±5 %.
• Мощность рассеивания: 3 Вт (75 °C).
• Температурный диапазон p-n перехода: −65…+150 °C.
• Корпус: SMB (403A).
• Соответствует директиве RoHS.