BCR112

Кремниевый биполярный n-p-n транзистор, оснащенный встроенными резисторами: последовательным входным резистором и резистором, включенным между базой и эмиттером. Такое решение позволяет управлять полупроводниковым прибором напрямую от цифровых источников без дополнительных внешних схемотехнических элементов. Цифровые транзисторы используются в схемах коммутации, инверторах, схемах интерфейсов, схемах возбуждения и т.д.

Технические характеристики:

• Проводимость: n-p-n;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В;
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А;
• Прямое входное напряжение: 30 В;
• Обратное входное напряжение: 10 В;
• Минимальный статический коэффициент усиления: 20;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц;
• Встроенный резистор смещения (R1 = 4,7 кОм, R2 = 4,7 кОм);
• Максимальная рассеиваемая мощность: 0,2 Вт;
• Максимальная рабочая температура: +150 °C;
• Корпус: SOT-23;
• Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм;
• Масса: 0,05 г