MMBT5551-7-F

Биполярный транзистор MMBT5551-7-F

• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,2 В
• Рабочая температура -55...150 °C
• Максимальная рабочая частота 300 МГц
• Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 В
• Максимальное напряжение коллектор-база 180 В
• Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 160 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
• Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 30
• Максимальное рассеяние мощности: 300 мВт
• Тип монтажа: поверхностный
• Максимальный пост. ток коллектора: 600 мА
• Тип транзистора NPN
• Количество элементов на ИС 1
• Тип корпуса SOT-23
• Число контактов 3
• Размеры 3 x 1.4 x 1.1мм