+7 (800) 333-02-49

Бесплатно по России

HGTG10N120BND

Главная/Каталог/Дискретные полупроводники/Транзисторы/Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBTs)/HGTG10N120BND

Наведите на картинку для увеличения

377.00 Р

310.47 Р25+

277.20 Р50+

В наличии: Под заказ

Оптовые цены:

Кол-во	25+	50+
Цена	310.47 Р	277.20 Р

+ −

Заказать

Сообщить мне, когда товар будет в наличии

КОД: 10153214

Бренд:ONSEMI

Корпус:TO-247

Норма упаковки:1

Условия поставки:Под заказ

Срок поставки:5-6 нед.

Отложить Сравнить

Описание
Характеристики

HGTG10N120BND – Описание

Транзистор IGBT

HGTG10N120BND – Характеристики