+7 (800) 333-02-49

Бесплатно по России

HGTG10N120BND

Главная/Каталог/Дискретные полупроводники/Транзисторы/Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBTs)/HGTG10N120BND

Наведите на картинку для увеличения

334.68 Р

275.62 Р25+

246.09 Р50+

В наличии: Под заказ

Оптовые цены:

Кол-во	25+	50+
Цена	275.62 Р	246.09 Р

+ −

Заказать

Сообщить мне, когда товар будет в наличии

КОД: 10153214

Бренд:ONSEMI

Корпус:TO-247

Норма упаковки:1

Условия поставки:Под заказ

Срок поставки:5-6 нед.

Отложить Сравнить

Описание
Характеристики

HGTG10N120BND – Описание

Транзистор IGBT