0
Ваша Корзина
IPD50R1K4CE
Наведите на картинку для увеличения
IPD50R1K4CE – Описание
МОП-транзистор IPD50R1K4CE
Устройство серии IPD50R1K4CE – мощный высоковольтный МОП-транзистор с технологией CoolMOS™ CE для применения в источниках питания.
CoolMOS™ CE – это новая технологическая платформа для высоковольтных МОП-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих МОП-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CE обеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CE имеют лучшее соотношение цены и качества на рынке.
Особенности:
- Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss;
- Очень высокая коммутационная прочность;
- Простое управление режимом переключения;
- Покрытие, не содержащее свинец;
- Не содержащий галогенов компаунд корпуса;
- Улучшенная эффективность при малой нагрузке;
- Подходит для применения в бытовой аппаратуре;
Применение:
Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения.
IPD50R1K4CE – Характеристики
- Наименование: IPD50R1K4CE;
- Маркировка: 5R1K4CE;
- Тип транзистора: MOSFET;
- Тип проводимости: N;
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт;
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В;
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В;
- Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В;
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A;
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
- Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл;
- Время нарастания (tr): 6 нс;
- Выходная емкость (Cd): 11 пФ;
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом;
- Тип корпуса: ТО-252
