IRF7309TRPBF

Неприхотливые и надежные сборки IRF7309 состоят из двух P- и N-канальных MOSFET-транзисторов, заключенных в общий компактный корпус SO-8. Напряжение пробоя сток-исток транзисторов равняется 30 В, а постоянные токи стоков достигает 4 А и 3 А для P-канального и N-канального транзисторов соответственно.

• RDS_(on) N-канал: 50 мОм (30 В);
• RDS_(on) P-канал: 100 мОм (-30 В);
• Постоянный ток стока N/P каналов: 4/-3 А (25 °C);
• Напряжение пробоя сток-исток: 30 В;
• Максимальное напряжение затвора: 20 В;
• Заряд затвора N/P-каналов: 16,7 нКл;
• Рассеиваемая мощность: 1,4 Вт;
• Корпус: SO-8.