Это силовой МОП-транзистор HEXFET® с одним P-каналом, в котором используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает чрезвычайно эффективную и надежную работу.
Особенности:
Технология поколения V
Низкопрофильный (lt; 1,1 мм)
Быстрое переключение
Низкое статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии
Динамический рейтинг
Полная защита от лавин
Без галогенов
Технические характеристики:
Структура: P-FET
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
Максимальное напряжение сток-исток Uси: 30 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.: 0.76 А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.: 20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/0.6А, 10В