МОП транзистор MMBF170

Особенности данной серии:

1. Низкое сопротивление RDS (ВКЛЮЧЕНО),
2. Низкое пороговое напряжение затвора,
3. Низкая входная емкость,
4. Защита от электростатического разряда до 2 кВ.

Технические характеристики:

• Корпус: SOT-23
• Материал корпуса: формованный пластик. Воспламеняемость UL
• Рейтинг классификации: 94V-0
• Тип транзистора: полевой
• Конфигурация и полярность: N-канал 
• Вид монтажа: SMD/SMT компонент для поверхностного монтажа 
• Тип монтажа: установка на печатную плату методом пайки 
• Количество контактов: 3 
• Напряжение стока-источника VDSS - 60 В
• Напряжение затвора-источника VCES - 20 В
• Ток стока (непрерывный) ID - 300 мА
• Ток стока (Длительность импульса ≤ 10 мкс) IDM - 800 мА
• Общая рассеиваемая мощность Ptot - 350 МВт
• Диапазон рабочих температур и температур хранения: -55......+150℃ 
• Вес: 0,008 гр. (приблизительно)